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2024/09/26
近日，納芯微全新推出CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET ——NPM12023A系列產品，優異的短路過流能力與雪崩過壓能力、更強的機械壓力耐受能力，可以為便攜式鋰電設備充放電提供全面的保護。
納芯微全新CSP封裝MOSFET系列產品，采用自有專利芯片結構設計，綜合性能優于業內傳統Trench VDMOS工藝，擁有超低導通阻抗及高ESD (>2kV) 保護功能等特點。該技術兼顧了產品小型化和高過流要求，同時解決了傳統CSP封裝芯片機械強度低、雪崩能量小、生產組裝加工困難等問題，為客戶提供更安全、更可靠的產品，簡化客戶的設計。
圖1：納芯微CSP封裝MOSFET產品優勢
便攜式鋰電設備對于充放電保護的要求：高強度，小體積
智能手機、平板電腦等便攜式鋰電設備變得比以前更輕薄，功能更強大，同時對設備的充放電功率要求也越來越高：從最初的3-5W，到現在超過100W的充放電功率，使人們在享受更便捷的生活的同時，提高了充電效率，減少了電量焦慮的困擾。充放電功率的不斷提高，對用于鋰電池保護的MOSFET的性能提出了更高的挑戰：如何在降低內阻的同時，兼顧機械應力及雪崩能量等要求，成為聚焦的重點。
圖2：CSP封裝MOSFET典型應用場景
技術特點：
專有的CSP封裝技術
傳統CSP封裝結構為了降低襯底電阻，采用了芯片厚度減薄的方法，從而降低了該封裝結構的機械強度，隨之而來的，在生產組裝過程中，可能會造成芯片翹曲變形甚者產生裂紋，從而導致應用端不良等問題。
納芯微全新CSP封裝系列產品在設計之初就在產品結構上做了調整，使導通電流平行于芯片表面，縮短電流路徑，從而降低導通電阻，也就從根源上解決了CSP封裝MOSFET的機械強度問題（耐受機械壓力>60N），更高的機械強度，可以幫助芯片在兼顧輕薄化、小型化的基礎上，最大程度上降低使用過程中的變形、裂片等問題，保證了產品的可靠性和安全性。
圖3：納芯微CSP封裝結構與傳統CSP封裝結構對比
高抗短路和雪崩的能力
作為鋰電池保護電路中的關鍵器件，CSP封裝MOSFET的短路過流能力和雪崩過壓能力也是衡量該芯片的重要參數指標。相比市場上其他產品，納芯微該系列產品具備非常好的抗短路和雪崩的能力：短路電流測試達到280A，雪崩能力測試>30A(225mJ)。
圖4：納芯微CSP封裝MOSFET短路及雪崩測試
納芯微CSP封裝MOSFET產品選型表
樣片申請
如上產品可提供樣片，如需申請樣片可掃描二維碼，亦可郵件至[email protected]或撥打0512-62601802-810進行咨詢。
