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GaN功率芯片與驅動

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GaN功率芯片與驅動

和傳統的Si器件相比，GaN HEMT具有更高的開關頻率與更小的開關損耗，在快充、數據中心、光伏、儲能、電動汽車等市場都有著廣闊的應用場景。然而，GaN HEMT 柵源耐壓范圍較窄、開啟閾值也很低，對驅動回路的干擾與噪聲會比較敏感，并且高頻開關下的dv/dt容易產生共模干擾問題，對驅動IC提出了更高的要求。納芯微推出GaN HEMT專用驅動IC和功率芯片產品，具有高可靠性、高共模瞬變抗擾度（CMTI）、低傳輸延時等特點，助力于充分發揮GaN HEMT的性能優勢。

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