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產(chǎn)品中心
>100V半橋驅(qū)動

產(chǎn)品中心

>100V半橋驅(qū)動

納芯微的中低壓半橋驅(qū)動芯片集成了高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器,可以承受100V以上的直流電壓。該類型產(chǎn)品具有多個封裝類型,小封裝給高集成度系統(tǒng)帶來了便利。該類型產(chǎn)品廣泛應用在工業(yè)、通信、新能源汽車等不同領域的開關(guān)電源和電機控制設計中。

產(chǎn)品選型表

  • 驅(qū)動對象
    MOSFET
    IGBT
    GaNFET
  • 峰值驅(qū)動電流 (A)
    3/-4
  • 輸出通道
    2
  • 母線電壓(V)
    115
  • VCC(Max)(V)
    20
  • 傳播延時(Max) ton/off(ns)
    35/35
  • 延遲匹配(ns)
    5
  • 特性
    UVLO
    Interlock
    Enable
  • 工作溫度 (°C)
    -40~125
  • 產(chǎn)品等級
    車規(guī)級
    工業(yè)級
  • 封裝
    DFN10
    SOP8

顯示 種器件

產(chǎn)品名稱 ECAD Model 驅(qū)動對象 峰值驅(qū)動電流 (A) 輸出通道 母線電壓(V) VCC(Max)(V) 傳播延時(Max) ton/off(ns) 延遲匹配(ns) 特性 工作溫度 (°C) 產(chǎn)品等級 封裝
NSD1224LA-DAFR
MOSFET/GaNFET
3/-4
2
115
20
35/35
5
UVLO, Interlock, Enable
-40~125
工業(yè)級
DFN10
NSD1224LA-DSPR
MOSFET/GaNFET
3/-4
2
115
20
35/35
5
UVLO, Interlock
-40~125
工業(yè)級
SOP8

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